【编号】2013-43
　　【名称】一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法
　　【公开（公告）号】CN102964754A
　　【公开（公告）日期】2013-3-13
　　【申请（专利权）人】哈尔滨师范大学
　　【摘要】一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法，它涉及一种聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的石墨烯/PVDF复合材料存在介电常数偏低的问题。一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料由Ag-石墨烯、N-甲基吡咯烷酮和PVDF树脂制备而成。方法的：一、制备Ag-石墨烯/N-甲基吡咯烷酮悬浮液；二、制备PVDF树脂/N-甲基吡咯烷酮溶液；三、混合得到Ag-石墨烯/PVDF树脂/N-甲基吡咯烷酮混合物；四、成膜得到Ag-石墨烯/PVDF三相复合材料薄膜；五、成型得到高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料。本发明主要用于制备高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料。