【编号】2015-91
　　【名称】一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法
　　【公开（公告）号】CN105037761A
　　【公开（公告）日期】2015.11.11
　　【申请（专利权）人】电子科技大学
　　【摘要】本发明属于热释电薄膜材料领域和太赫兹探测领域，提供一种具有β晶相的聚偏氟乙烯(PVDF)纳米薄膜的制备方法，首先将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中，超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液；再将制膜溶液静置脱泡；再采用旋涂法制备湿膜；最后在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶，即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。本发明一方面通过掺杂GO提高PVDF中β晶相的含量，另一方面采用旋涂工艺制备PVDF纳米薄膜；制备工艺简单易于控制、设备要求低、成本低廉，能在普通大气条件下制备，制备的PVDF薄膜均匀、平整、致密性好、热释电性能稳定，为薄膜材料热释电太赫兹探测器的研制提供有力支持。