【编号】2019-18
　　【名称】聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
       【公开（公告）号】CN109320743A
　　【公开（公告）日期】2019.02.12
　　【申请（专利权）人】北京化工大学
       【摘要】本发明公开了一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括：(1)将聚偏氟乙烯PVDF分散于溶剂中，形成浓度为1～100mg/mL的PVDF溶液；PVDF的重均分子量为3.5×105～8×105；(2)将所述PVDF溶液施加于基底上、并在40～130℃干燥成型，得到初始膜；(3)将所述初始膜进一步干燥，形成预处理膜；(4)以1～20℃/min的升温速率将所述预处理膜升温至150～170℃，并持续退火1～60min，然后以1～20℃/min的降温速率降温至23±2℃，形成γ晶型聚偏氟乙烯薄膜。采用本发明的方法可以获得γ晶型含量很高的聚偏氟乙烯薄膜。