【编号】2020-67
　　【名称】一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法
      【公开（公告）号】CN111205496A
　　【公开（公告）日期】2020.05.29
　　【申请（专利权）人】北京化工大学
       【摘要】本发明公开了一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯薄膜在180~260℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150~165℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体。本发明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶体。