【编号】2021-18

【名称】一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法

【公开（公告）号】CN112480579A 

【公开（公告）日期】2021.03.12

【申请（专利权）人】华东理工大学

【摘要】本发明涉及一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法，本发明的PTFE基电路基板中，其中，PTFE树脂质量占PTFE基电路基板质量的80‑95%，玻璃纤维质量占PTFE基电路基板质量的1‑10%，中空玻璃微球质量占PTFE基电路基板质量的1‑10%，改性剂的质量占无机填料(玻璃纤维或中空玻璃微球)质量的10‑20%。本发明的制备PTFE基电路基板的方法包括无机填料的表面改性步骤和PTFE基电路基板的制备步骤。本发明的PTFE基电路基板在降低热膨胀系数(70ppm/℃)的同时还可以保证材料优异的介电性能(D_k=2.1@10GHz，D_f=0.0001@10GHz)，有望可以广泛应用于电力通讯领域。