【编号】2024-66

【名称】一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法与应用

【公开（公告）号】CN118878859A

【公开（公告）日期】2024.11.01

【申请（专利权）人】西安交通大学

【摘要】本发明公开了一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法及其应用。该制备方法通过将聚偏氟乙烯颗粒原料置于模具中，先升温至熔点以上并维持以消除热历史，再降温至成型温度150℃～260℃，施加50MPa～600MPa的压力后立即施加26s‑1以上的剪切流动场，施加剪切流动场10s以上，随后恒压降温至样品结晶完成，待温度降低至室温后卸压，获得含有高结晶度取向极性晶相的聚偏氟乙烯样品。通过本方法制得的聚偏氟乙烯制品，极性晶相结晶度高达63％，且呈现良好取向，结晶形态为shish‑kebab结构，相关聚偏氟乙烯样品表现出优异的压电性能。本发明提供的该PVDF高结晶度取向极性晶相的制备方法，有助于推动PVDF制品在压电式柔性传感器领域的应用。